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GA0805Y223MXBBC31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 13:04:44 查看 閱讀:15

GA0805Y223MXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于多種開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  這款MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車(chē)電子等領(lǐng)域,其封裝形式緊湊,適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。

參數(shù)

型號(hào):GA0805Y223MXBBC31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vdss):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
  總柵極電荷(Qg):17nC
  開(kāi)關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特性

GA0805Y223MXBBC31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高開(kāi)關(guān)速度設(shè)計(jì),可支持高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  3. 良好的熱性能表現(xiàn),確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 小型化封裝,便于PCB布局優(yōu)化。
  5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的使用需求。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

GA0805Y223MXBBC31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)器件。
  4. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品如筆記本適配器、手機(jī)充電器等。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和保護(hù)電路。

替代型號(hào)

GA0805Y223MXBBC32G, IRF00

ga0805y223mxbbc31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-