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GA0805Y332JBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 16:13:52 查看 閱讀:18

GA0805Y332JBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,通過柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能和熱特性,適用于高頻率操作環(huán)境。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  最大漏源電壓(VDS):60V
  最大柵源電壓(VGS):±20V
  持續(xù)漏極電流(ID):50A
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):3.5mΩ
  柵極電荷(Qg):70nC
  開關(guān)時(shí)間:開通延遲時(shí)間(tdon) 11ns,關(guān)斷傳播時(shí)間(trff) 19ns
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247

特性

GA0805Y332JBCBT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損耗。
  3. 高度穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)性能,在各種負(fù)載條件下保持一致的表現(xiàn)。
  4. 出色的熱管理能力,能夠承受較高的結(jié)溫,確保長(zhǎng)期可靠性。
  5. 強(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。

應(yīng)用

該 MOSFET 主要用于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件,如逆變器或斬波器。
  3. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓和升降壓拓?fù)洹?br>  4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS) 和不間斷電源(UPS) 的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制部分,如伺服驅(qū)動(dòng)器。
  6. 電動(dòng)汽車(EV) 和混合動(dòng)力汽車(HEV) 的車載充電器及牽引逆變器。
  其高效能和高可靠性使其成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

IRF540N, SI4470DY, FDN337AN

ga0805y332jbcbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-