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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805Y332JBCBT31G

GA0805Y332JBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 16:13:52 查看 閱讀�18

GA0805Y332JBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,通過柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能和熱特性,適用于高頻率操作�(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  持續(xù)漏極電流(ID)�50A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�3.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�70nC
  開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)�(tdon) 11ns,關(guān)斷傳播時(shí)�(trff) 19ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA0805Y332JBCBT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損��
  3. 高度�(wěn)定的�(dòng)�(tài)性能,在各種�(fù)載條件下保持一致的表現(xiàn)�
  4. 出色的熱管理能力,能夠承受較高的�(jié)�,確保長(zhǎng)期可靠��
  5. �(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��

�(yīng)�

� MOSFET 主要用于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件,如逆變器或斬波器�
  3. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和升降壓拓?fù)�?br>  4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS) 和不間斷電源(UPS) 的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制部�,如伺服�(qū)�(dòng)��
  6. 電動(dòng)汽車(EV) 和混合動(dòng)力汽�(HEV) 的車載充電器及牽引逆變器�
  其高效能和高可靠性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF540N, SI4470DY, FDN337AN

ga0805y332jbcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-