GA0805Y332JBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,通過柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能和熱特性,適用于高頻率操作�(huán)��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
持續(xù)漏極電流(ID)�50A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�3.5mΩ
柵極電荷(Qg)�70nC
開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)�(tdon) 11ns,關(guān)斷傳播時(shí)�(trff) 19ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA0805Y332JBCBT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損��
3. 高度�(wěn)定的�(dòng)�(tài)性能,在各種�(fù)載條件下保持一致的表現(xiàn)�
4. 出色的熱管理能力,能夠承受較高的�(jié)�,確保長(zhǎng)期可靠��
5. �(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
� MOSFET 主要用于以下�(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件,如逆變器或斬波器�
3. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和升降壓拓?fù)�?br> 4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS) 和不間斷電源(UPS) 的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制部�,如伺服�(qū)�(dòng)��
6. 電動(dòng)汽車(EV) 和混合動(dòng)力汽�(HEV) 的車載充電器及牽引逆變器�
其高效能和高可靠性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�
IRF540N, SI4470DY, FDN337AN