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GA0805Y823KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 21:03:01 查看 閱讀�14

GA0805Y823KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�。該器件廣泛�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類高效能開(kāi)�(guān)電路�。其封裝形式緊湊,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
  該芯片屬于溝道型MOSFET,能夠在高頻條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同�(shí)支持大電流負(fù)�,是�(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元��

參數(shù)

型號(hào):GA0805Y823KBABR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�80V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�5A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ (典型�,Vgs=10V)
  功�(Ptot)�7W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

GA0805Y823KBABR31G 具備出色的電氣性能和可靠�,主要特�(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高雪崩能量能�,確保在異常工作條件下的�(wěn)健性�
  4. 緊湊型封�,有助于減少PCB占用面積�
  5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  這些特性使得該器件成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA0805Y823KBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和適配器�(shè)�(jì)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和降�/升壓�(zhuǎn)��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦、平板電腦及智能手機(jī)的充電模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與控制�
  6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)�
  憑借其卓越的性能,這款MOSFET可以滿足不同�(yīng)用場(chǎng)景下的需��

替代型號(hào)

GA0805Y823KBABR21G
  IRFZ44N
  FDP5800

ga0805y823kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-