GA0805Y823KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì),具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特性。該器件廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類高效能開(kāi)關(guān)電路中。其封裝形式緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
該芯片屬于溝道型MOSFET,能夠在高頻條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同時(shí)支持大電流負(fù)載,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件。
型號(hào):GA0805Y823KBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):80V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):5A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
功耗(Ptot):7W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA0805Y823KBABR31G 具備出色的電氣性能和可靠性,主要特點(diǎn)包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 高雪崩能量能力,確保在異常工作條件下的穩(wěn)健性。
4. 緊湊型封裝,有助于減少PCB占用面積。
5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
這些特性使得該器件成為眾多工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的理想選擇。
GA0805Y823KBABR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和適配器設(shè)計(jì)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦、平板電腦及智能手機(jī)的充電模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)。
憑借其卓越的性能,這款MOSFET可以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的需求。
GA0805Y823KBABR21G
IRFZ44N
FDP5800