型號(hào)：GA0805Y823KBABR31G
　　類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：80V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：5A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
　　功耗(Ptot)：7W
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)

GA0805Y823KBABR31G 具備出色的電氣性能和可靠性，主要特點(diǎn)包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 高雪崩能量能力，確保在異常工作條件下的穩(wěn)健性。
　　4. 緊湊型封裝，有助于減少PCB占用面積。
　　5. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　這些特性使得該器件成為眾多工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的理想選擇。

GA0805Y823KBABR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和適配器設(shè)計(jì)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
　　3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦、平板電腦及智能手機(jī)的充電模塊。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
　　6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)。
　　憑借其卓越的性能，這款MOSFET可以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的需求。

GA0805Y823KBABR21G
　　IRFZ44N
　　FDP5800