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GA0805Y823KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 21:03:01 查看 閱讀:14

GA0805Y823KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì),具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特性。該器件廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類高效能開(kāi)關(guān)電路中。其封裝形式緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
  該芯片屬于溝道型MOSFET,能夠在高頻條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同時(shí)支持大電流負(fù)載,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件。

參數(shù)

型號(hào):GA0805Y823KBABR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):80V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):5A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  功耗(Ptot):7W
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特性

GA0805Y823KBABR31G 具備出色的電氣性能和可靠性,主要特點(diǎn)包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
  3. 高雪崩能量能力,確保在異常工作條件下的穩(wěn)健性。
  4. 緊湊型封裝,有助于減少PCB占用面積。
  5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
  這些特性使得該器件成為眾多工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

GA0805Y823KBABR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和適配器設(shè)計(jì)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦、平板電腦及智能手機(jī)的充電模塊。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
  6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)。
  憑借其卓越的性能,這款MOSFET可以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的需求。

替代型號(hào)

GA0805Y823KBABR21G
  IRFZ44N
  FDP5800

ga0805y823kbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-