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GA1206A101JBEBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 16:59:44 查看 閱讀:21

GA1206A101JBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)良的熱性能等特性。
  此型號是專為需要高效能和穩(wěn)定性的工業(yè)及消費(fèi)電子設(shè)備設(shè)計(jì)的,其封裝形式和電氣參數(shù)能夠滿足多種復(fù)雜應(yīng)用需求。

參數(shù)

器件類型:MOSFET
  導(dǎo)電類型:N-Channel
  最大漏源電壓(Vdss):60V
  最大連續(xù)漏電流(Id):120A
  最大柵極閾值電壓(Vgs(th)):4V
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  功耗(Ptot):250W
  封裝類型:TO-247

特性

GA1206A101JBEBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的魯棒性。
  3. 快速開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)用場景。
  4. 優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì),有助于提高散熱性能,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需求。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
  2. 電機(jī)控制和驅(qū)動電路中的功率級元件。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  4. 新能源領(lǐng)域,如太陽能逆變器和電動汽車充電裝置中的關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換組件。

替代型號

GA1206A101JBE, IRFP2907ZPBF

ga1206a101jbebt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容100 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-