GA1206A101KXBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
該芯片適用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
型號(hào):GA1206A101KXBBR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.0mΩ
總閘極電�(Qg)�85nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
GA1206A101KXBBR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) 僅為1.0mΩ�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
3. 高電流承載能力(最大連續(xù)漏極電流可達(dá)120A�,能夠滿足大功率�(yīng)用需��
4. 良好的熱性能,確保在高負(fù)載條件下依然保持�(wěn)定��
5. 高可靠性設(shè)�(jì),提供長使用壽命和卓越的抗干擾能��
6. 寬工作溫度范圍(通常�-55°C�+175°C�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
這些特性使得該器件非常適合降低整體系統(tǒng)的熱管理需求�
GA1206A101KXBBR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 太陽能逆變�
5. 電動(dòng)車牽引逆變�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
7. 高效能源管理系統(tǒng)
由于其出色的性能,這款MOSFET也常被用于需要快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和低功耗的工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�
GA1206A102KXBBR31G, IRFP2907, FDP16N65