時間：2025/5/28 10:00:20
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GA1206A120KBEBT31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高性能功率器件，主要用于高效率、高頻開關電源應用。該型號采用了先進的封裝工藝和增強型 GaN 場效應晶體管技術，具有低導通電阻、快速開關速度和高耐壓的特點。這種器件廣泛適用于數(shù)據中心、電動汽車、工業(yè)設備及消費電子等領域的高效能電力轉換系統(tǒng)。
作為第三代半導體材料的代表，GaN 器件能夠顯著提升功率密度并降低能量損耗，同時其高頻特性允許設計更小體積的變壓器和其他無源元件，從而實現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設計。
額定電壓：650V
額定電流：120A
導通電阻：12mΩ
柵極電荷：80nC
反向恢復時間：5ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 采用氮化鎵技術，提供卓越的高頻性能和低導通損耗。
2. 內置保護功能，包括過溫保護和短路保護，增強了器件可靠性。
3. 超低的導通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導損耗，提高整體效率。
4. 小尺寸封裝設計，適合空間受限的應用場景。
5. 高速開關能力支持更高的工作頻率，減少磁性元件的尺寸和重量。
6. 寬廣的工作溫度范圍適應各種嚴苛環(huán)境下的使用需求。
1. 數(shù)據中心服務器電源
2. 電動汽車車載充電器 (OBC) 和 DC/DC 轉換器
3. 工業(yè)電機驅動和不間斷電源 (UPS)
4. 消費類快充適配器
5. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊
6. 高效電信基站電源解決方案
