GA1206A120KBEBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率器件,主要用于高效率、高頻開關電源應�。該型號采用了先進的封裝工藝和增強型 GaN 場效應晶體管技�,具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓的特點。這種器件廣泛適用于數(shù)據中�、電動汽車、工�(yè)設備及消費電子等領域的高效能電力轉換系統(tǒng)�
作為第三代半導體材料的代�,GaN 器件能夠顯著提升功率密度并降低能量損耗,同時其高頻特性允許設計更小體積的變壓器和其他無源元件,從而實�(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設計�
額定電壓�650V
額定電流�120A
導通電阻:12mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復時間�5ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 采用氮化鎵技�,提供卓越的高頻性能和低導通損耗�
2. 內置保護功能,包括過溫保護和短路保護,增強了器件可靠��
3. 超低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗,提高整體效率�
4. 小尺寸封裝設�,適合空間受限的應用場景�
5. 高速開關能力支持更高的工作頻率,減少磁性元件的尺寸和重��
6. 寬廣的工作溫度范圍適應各種嚴苛環(huán)境下的使用需��
1. �(shù)據中心服務器電源
2. 電動汽車車載充電� (OBC) � DC/DC 轉換�
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5. 太陽能逆變器中的功率轉換模�
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