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GA1206A121KXCBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 21:03:49 查看 閱讀�19

GA1206A121KXCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道增強型場效�(yīng)晶體管系�。該器件通常用于高效�、高頻率的開�(guān)�(yīng)用中,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度。其�(shè)計使其能夠承受較高的電壓,并在高頻工作條件下保持較低的功�。這種類型� MOSFET 適合�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�

參數(shù)

型號:GA1206A121KXCBT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏電�(Id)�120A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總柵極電�(Qg)�85nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)1MHz
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A121KXCBT31G 具有出色的性能特點,主要體�(xiàn)在以下方面:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻:這款 MOSFET 的導(dǎo)通電阻僅�1.2mΩ,可以顯著降低傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)的整體效��
  2. 高電流處理能力:其額定持�(xù)漏電流為120A,能夠滿足高功率�(yīng)用的需��
  3. 快速開�(guān)性能:由于其總柵極電荷較?�?5nC�,開�(guān)速度較快,適用于高頻電路�
  4. �(wěn)定性:在較寬的工作溫度范圍�(nèi),該器件能保持穩(wěn)定的電氣特��
  5. 高耐壓能力:支持最�60V的漏源電�,確保在各種�(fù)載條件下的可靠��
  這些特性使� GA1206A121KXCBT31G 成為工業(yè)級功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種高功率電子系�(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開關(guān)或同步整流元�,提供高效的能量�(zhuǎn)��
  2. 電機�(qū)動:用于直流無刷電機(BLDC)、步進電機等的驅(qū)動電��
  3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中作為核心功率開關(guān)�
  4. DC/DC�(zhuǎn)換器:實�(xiàn)降壓或升壓功�,以適應(yīng)不同的電壓需��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于保護和管理鋰電池組的充放電過程�
  通過利用 GA1206A121KXCBT31G 的高效特性和強大的電流處理能力,這些�(yīng)用能�?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更小的體��

替代型號

GA1206A122KXCBT31G, IRF540N, FDP15N60C

ga1206a121kxcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-