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GA1206A1R2CBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 10:02:42 查看 閱讀:17

GA1206A1R2CBCBR31G是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高性能功率晶體管,適用于高頻、高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體解決方案尺寸。
  該型號專為硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì),例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路以及其它高頻率功率轉(zhuǎn)換場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:15A
  導(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷:70nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:10ns
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃

特性

GA1206A1R2CBCBR31G具有非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,這使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率和性能。其快速開關(guān)速度可減少開關(guān)損耗,并允許使用更小的無源元件,從而降低整體系統(tǒng)成本和體積。
  此外,該器件內(nèi)置過溫保護(hù)功能,能夠在極端條件下防止器件損壞。其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化,以確保良好的散熱性能和易于PCB布局設(shè)計(jì)。
  GaN技術(shù)帶來的優(yōu)勢還包括更高的功率密度和更低的電磁干擾(EMI),這對現(xiàn)代高效能電力電子設(shè)備至關(guān)重要。

應(yīng)用

這款功率晶體管廣泛應(yīng)用于各種高要求的電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  服務(wù)器和通信電源
  工業(yè)電機(jī)驅(qū)動
  電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
  太陽能逆變器
  消費(fèi)類快充適配器
  AC-DC及DC-DC轉(zhuǎn)換模塊
  其高頻運(yùn)行能力和高效率特別適合需要小型化和輕量化的場景。

替代型號

GA1206A1R2CBCCBR29G
  GA1206A1R2CBXCBR33G

ga1206a1r2cbcbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-