時(shí)間：2025/5/28 10:02:42
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GA1206A1R2CBCBR31G是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高性能功率晶體管，適用于高頻、高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝制造，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體解決方案尺寸。
該型號專為硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì)，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路以及其它高頻率功率轉(zhuǎn)換場景。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：15A
導(dǎo)通電阻：40mΩ
柵極電荷：70nC
反向恢復(fù)時(shí)間：10ns
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
GA1206A1R2CBCBR31G具有非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，這使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率和性能。其快速開關(guān)速度可減少開關(guān)損耗，并允許使用更小的無源元件，從而降低整體系統(tǒng)成本和體積。
此外，該器件內(nèi)置過溫保護(hù)功能，能夠在極端條件下防止器件損壞。其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化，以確保良好的散熱性能和易于PCB布局設(shè)計(jì)。
GaN技術(shù)帶來的優(yōu)勢還包括更高的功率密度和更低的電磁干擾（EMI），這對現(xiàn)代高效能電力電子設(shè)備至關(guān)重要。
這款功率晶體管廣泛應(yīng)用于各種高要求的電力電子領(lǐng)域，包括但不限于：
服務(wù)器和通信電源
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動
電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
太陽能逆變器
消費(fèi)類快充適配器
AC-DC及DC-DC轉(zhuǎn)換模塊
其高頻運(yùn)行能力和高效率特別適合需要小型化和輕量化的場景。
GA1206A1R2CBCCBR29G
GA1206A1R2CBXCBR33G
