GA1206A1R2CBCBR31G是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高性能功率晶體管,適用于高頻、高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體解決方案尺寸。
該型號專為硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì),例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路以及其它高頻率功率轉(zhuǎn)換場景。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷:70nC
反向恢復(fù)時(shí)間:10ns
工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
GA1206A1R2CBCBR31G具有非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,這使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率和性能。其快速開關(guān)速度可減少開關(guān)損耗,并允許使用更小的無源元件,從而降低整體系統(tǒng)成本和體積。
此外,該器件內(nèi)置過溫保護(hù)功能,能夠在極端條件下防止器件損壞。其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化,以確保良好的散熱性能和易于PCB布局設(shè)計(jì)。
GaN技術(shù)帶來的優(yōu)勢還包括更高的功率密度和更低的電磁干擾(EMI),這對現(xiàn)代高效能電力電子設(shè)備至關(guān)重要。
這款功率晶體管廣泛應(yīng)用于各種高要求的電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
服務(wù)器和通信電源
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動
電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
太陽能逆變器
消費(fèi)類快充適配器
AC-DC及DC-DC轉(zhuǎn)換模塊
其高頻運(yùn)行能力和高效率特別適合需要小型化和輕量化的場景。
GA1206A1R2CBCCBR29G
GA1206A1R2CBXCBR33G