時間：2025/5/30 14:47:37
閱讀：21
GA1206A1R2DXCBP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體管，專為高頻和高功率應用設計。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 工藝制造，具有低導通電阻、高開關速度和高擊穿電壓等特性，適用于 DC-DC 轉換器、無線充電、激光雷達以及電機驅動等領域。
由于其卓越的性能，GA1206A1R2DXCBP31G 在提升系統(tǒng)效率和減小體積方面表現(xiàn)出色，同時支持更高的工作頻率，能夠有效降低磁性元件的尺寸和成本。
型號：GA1206A1R2DXCBP31G
類型：增強型功率晶體管
材料：氮化鎵 (GaN)
導通電阻：40 mΩ
漏源極耐壓：650 V
最大漏極電流：12 A
柵極閾值電壓：2.5 V
開關頻率：高達 5 MHz
封裝形式：DFN8
GA1206A1R2DXCBP31G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），可顯著降低傳導損耗，提高整體效率。
2. 高擊穿電壓（650V）使其適合高壓應用場景。
3. 快速開關能力，支持高頻操作，從而減少無源元件的體積。
4. 內置 ESD 保護電路，增強器件的抗靜電能力。
5. 熱性能優(yōu)越，有助于實現(xiàn)高效的熱管理。
6. 先進的 DFN8 封裝技術，提供更小的占位面積和更低的寄生電感。
7. 符合 RoHS 標準，綠色環(huán)保。
這些特點使 GA1206A1R2DXCBP31G 成為現(xiàn)代電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。
GA1206A1R2DXCBP31G 廣泛應用于以下領域：
1. 高效 DC-DC 轉換器，用于服務器、通信設備和消費電子產品。
2. 快速充電器和適配器，支持 USB-PD 協(xié)議。
3. 激光雷達系統(tǒng)，滿足高精度和快速響應的需求。
4. 無線充電解決方案，提供更高功率和效率。
5. 電機驅動和逆變器，用于工業(yè)自動化和電動車。
6. 可再生能源轉換器，例如太陽能微逆變器。
該器件的高頻和高效特性使其在這些應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN65R150K
