時間�2025/5/30 14:47:37
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GA1206A1R2DXCBP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�，專為高頻和高功率應用設�。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 工藝制�，具有低導通電阻、高開關速度和高擊穿電壓等特�，適用于 DC-DC 轉換�、無線充�、激光雷達以及電機驅動等領域�
由于其卓越的性能，GA1206A1R2DXCBP31G 在提升系�(tǒng)效率和減小體積方面表�(xiàn)出色，同時支持更高的工作頻率，能夠有效降低磁性元件的尺寸和成��
型號：GA1206A1R2DXCBP31G
類型：增強型功率晶體�
材料：氮化鎵 (GaN)
導通電阻：40 mΩ
漏源極耐壓�650 V
最大漏極電流：12 A
柵極閾值電壓：2.5 V
開關頻率：高� 5 MHz
封裝形式：DFN8
GA1206A1R2DXCBP31G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)�，可顯著降低傳導損耗，提高整體效率�
2. 高擊穿電壓（650V）使其適合高壓應用場景�
3. 快速開關能�，支持高頻操作，從而減少無源元件的體積�
4. 內置 ESD 保護電路，增強器件的抗靜電能��
5. 熱性能�(yōu)�，有助于實現(xiàn)高效的熱管理�
6. 先進的 DFN8 封裝技�，提供更小的占位面積和更低的寄生電感�
7. 符合 RoHS 標準，綠色環(huán)��
這些特點� GA1206A1R2DXCBP31G 成為�(xiàn)代電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�
GA1206A1R2DXCBP31G 廣泛應用于以下領域：
1. 高效 DC-DC 轉換�，用于服務器、通信設備和消費電子產��
2. 快速充電器和適配器，支� USB-PD �(xié)議�
3. 激光雷達系�(tǒng)，滿足高精度和快速響應的需求�
4. 無線充電解決方案，提供更高功率和效率�
5. 電機驅動和逆變�，用于工�(yè)自動化和電動��
6. 可再生能源轉換器，例如太陽能微逆變��
該器件的高頻和高效特性使其在這些應用中表�(xiàn)�(yōu)��
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN65R150K
