GA1206A1R2DXCBP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體管,專為高頻和高功率應用設計。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 工藝制造,具有低導通電阻、高開關速度和高擊穿電壓等特性,適用于 DC-DC 轉換器、無線充電、激光雷達以及電機驅動等領域。
由于其卓越的性能,GA1206A1R2DXCBP31G 在提升系統(tǒng)效率和減小體積方面表現(xiàn)出色,同時支持更高的工作頻率,能夠有效降低磁性元件的尺寸和成本。
型號:GA1206A1R2DXCBP31G
類型:增強型功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
導通電阻:40 mΩ
漏源極耐壓:650 V
最大漏極電流:12 A
柵極閾值電壓:2.5 V
開關頻率:高達 5 MHz
封裝形式:DFN8
GA1206A1R2DXCBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可顯著降低傳導損耗,提高整體效率。
2. 高擊穿電壓(650V)使其適合高壓應用場景。
3. 快速開關能力,支持高頻操作,從而減少無源元件的體積。
4. 內置 ESD 保護電路,增強器件的抗靜電能力。
5. 熱性能優(yōu)越,有助于實現(xiàn)高效的熱管理。
6. 先進的 DFN8 封裝技術,提供更小的占位面積和更低的寄生電感。
7. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保。
這些特點使 GA1206A1R2DXCBP31G 成為現(xiàn)代電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。
GA1206A1R2DXCBP31G 廣泛應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC 轉換器,用于服務器、通信設備和消費電子產品。
2. 快速充電器和適配器,支持 USB-PD 協(xié)議。
3. 激光雷達系統(tǒng),滿足高精度和快速響應的需求。
4. 無線充電解決方案,提供更高功率和效率。
5. 電機驅動和逆變器,用于工業(yè)自動化和電動車。
6. 可再生能源轉換器,例如太陽能微逆變器。
該器件的高頻和高效特性使其在這些應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN65R150K