SI4816BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,適用于高效能開�(guān)�(yīng)用�
其封裝形式為 PowerPAK SO-8�8 引腳�,具有出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合用于空間受限的�(yīng)用場景。該 MOSFET 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中的電源管理領(lǐng)��
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�47nC
輸入電容�1980pF
總功耗:15W
工作溫度范圍�-55� � +175�
SI4816BDY-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗�
4. 緊湊� PowerPAK SO-8 封裝,節(jié)� PCB 空間�
5. 增強(qiáng)的熱性能,確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
7. 提供�(wěn)健的短路保護(hù)能力�
該芯片適用于多種電源管理�(yīng)�,包括但不限于:
1. DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 開關(guān)模式電源(SMPS)的主開�(guān)或次�(jí)�(cè)整流�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
5. 通信�(shè)備中的負(fù)載切��
6. 工業(yè)自動(dòng)化中的電磁閥和繼電器�(qū)�(dòng)�
SI4825DY, IRF7843, FDP14N05L