SI4816BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適用于高效能開關(guān)應(yīng)用。
其封裝形式為 PowerPAK SO-8(8 引腳),具有出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì),適合用于空間受限的應(yīng)用場景。該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中的電源管理領(lǐng)域。
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流:24A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷:47nC
輸入電容:1980pF
總功耗:15W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
SI4816BDY-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗。
4. 緊湊型 PowerPAK SO-8 封裝,節(jié)省 PCB 空間。
5. 增強(qiáng)的熱性能,確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛。
7. 提供穩(wěn)健的短路保護(hù)能力。
該芯片適用于多種電源管理應(yīng)用,包括但不限于:
1. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. 開關(guān)模式電源(SMPS)的主開關(guān)或次級(jí)側(cè)整流。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
5. 通信設(shè)備中的負(fù)載切換。
6. 工業(yè)自動(dòng)化中的電磁閥和繼電器驅(qū)動(dòng)。
SI4825DY, IRF7843, FDP14N05L