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SI4816BDY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 19:14:42 查看 閱讀:20

SI4816BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適用于高效能開關(guān)應(yīng)用。
  其封裝形式為 PowerPAK SO-8(8 引腳),具有出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì),適合用于空間受限的應(yīng)用場景。該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中的電源管理領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流:24A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
  柵極電荷:47nC
  輸入電容:1980pF
  總功耗:15W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

SI4816BDY-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)用。
  3. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗。
  4. 緊湊型 PowerPAK SO-8 封裝,節(jié)省 PCB 空間。
  5. 增強(qiáng)的熱性能,確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛。
  7. 提供穩(wěn)健的短路保護(hù)能力。

應(yīng)用

該芯片適用于多種電源管理應(yīng)用,包括但不限于:
  1. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
  2. 開關(guān)模式電源(SMPS)的主開關(guān)或次級(jí)側(cè)整流。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
  5. 通信設(shè)備中的負(fù)載切換。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化中的電磁閥和繼電器驅(qū)動(dòng)。

替代型號(hào)

SI4825DY, IRF7843, FDP14N05L

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si4816bdy-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI4816BDY
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A,8.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18.5 毫歐 @ 6.8A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1W,1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4816BDY-T1-E3TR