NSS1C201LT1G是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平MOSFET。該器件采用小型化的SOT-23封裝,適用于空間受限的設計。其低導通電阻和快速開關特性使其非常適合用于便攜式電子設備、消費類電子�(chǎn)�、電信設備以及工�(yè)控制中的負載開關、DC-DC轉換�、電池管理和其他功率管理應用�
這款MOSFET具有極低的導通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻(Rds(on)):125mΩ(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷�6nC
總電容(Ciss):22pF
開關速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 采用SOT-23封裝,體積小,適合高密度電路板設��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少導通損耗并提升整體效率�
3. 高速開關能�,支持高頻應用如開關電源和DC-DC轉換��
4. 較寬的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性能�
5. 支持邏輯電平驅動,兼�3.3V�5V邏輯系統(tǒng),簡化了驅動電路設計�
6. 良好的熱�(wěn)定性,能有效應對高功率場景�
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
1. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載開關�
2. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
3. DC-DC轉換器中的同步整流開��
4. 電池保護電路及充電管��
5. 電信設備中的信號調節(jié)與功率分��
6. 各種工業(yè)控制中的小型化功率開關應��
NTMS2190NT1G, AO3400A