PBL3770AN 是一� NPN 型高�、大電流晶體�,廣泛應(yīng)用于射頻功率放大�、無線通信�(shè)備和工業(yè)電子�(lǐng)域。該晶體管具有較高的增益帶寬乘積(fT�,能夠在高頻條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)。其封裝形式通常� TO-252 或類似的表面貼裝封裝,便于在�(xiàn)代電路板上的使用�
集電�-�(fā)射極電壓�45V
集電極電流:8A
直流電流增益(hFE):最小� 10,典型� 40
特征頻率(fT):900MHz
熱阻(結(jié)到環(huán)境)�120°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
PBL3770AN 的主要特性包括高增益帶寬乘積,使其適用于高頻�(yīng)用;同時(shí)具備良好的線性度和低噪聲特�。它還擁有較高的電流承載能力,可以滿足大功率輸出需求�
此外,該器件采用先�(jìn)的制造工藝,在高頻段表現(xiàn)出較低的失真和優(yōu)秀的穩(wěn)定�,非常適合要求苛刻的射頻功率放大場景�
PBL3770AN 廣泛用于射頻功率放大器設(shè)�(jì)�,如無線通信基站、業(yè)余無線電�(shè)備和測試測量儀器等。它可以作為�(qū)動級或末級功率放大器中的�(guān)鍵元件。此�,它也適用于工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)療領(lǐng)域的射頻電源及電子控制系�(tǒng)��
PBL3769AN, PBL3771AN