GA1206A220FBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等電力電子領(lǐng)域。
此型號(hào)屬于溝道型MOSFET器件,主要以高效能和可靠性著稱。其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)并適應(yīng)多種應(yīng)用環(huán)境。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:6A
導(dǎo)通電阻:22mΩ
柵極電荷:45nC
開關(guān)速度:快
工作溫度范圍:-55℃至175℃
GA1206A220FBCBR31G具備卓越的電氣性能,其中低導(dǎo)通電阻能夠顯著減少功率損耗,從而提升系統(tǒng)效率。此外,該器件還擁有良好的熱穩(wěn)定性和耐受短路的能力,使其在惡劣環(huán)境下依然保持可靠的運(yùn)行。
芯片內(nèi)置優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)切換,同時(shí)降低電磁干擾(EMI)。此外,其緊湊的封裝結(jié)構(gòu)不僅節(jié)省了電路板空間,還增強(qiáng)了散熱性能,非常適合高密度集成的應(yīng)用場(chǎng)景。
另外,該型號(hào)經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量測(cè)試,符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),并具備抗靜電能力,有效保護(hù)器件免受外界因素的影響。
該芯片適用于各種電力轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)合,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)、家電調(diào)速控制器以及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模塊。
由于其出色的效率和耐用性,GA1206A220FBCBR31G特別適合需要頻繁開關(guān)操作或長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的應(yīng)用,如不間斷電源(UPS)、太陽能微逆變器和電動(dòng)汽車充電器等。
GA1206A220FBCBR28G
IRFZ44N
FDP17N12
AON6810