GA1206A220GBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他電力電子設(shè)備中。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)特性,使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),它還具有較高的雪崩耐量能力,能夠在異常條件下提供額外的保護(hù)�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:220mΩ
柵極電荷�15nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 12ns,上升時(shí)� 9ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 28ns,下降時(shí)� 7ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
GA1206A220GBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損耗�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩擊穿能�,提高了器件的魯棒性�
4. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)特�,簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
5. 小尺寸封�,便于高密度 PCB 布局�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. LED �(qū)�(dòng)�
7. 各類(lèi)工業(yè)控制�(shè)�
IRFZ44N
STP120NF06L
FDP580