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GA1206A271GBCBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:53:10 查看 閱讀�14

GA1206A271GBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電源等領(lǐng)�。該芯片采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,從而提升了整體效率并降低了能��
  該型號屬于溝道增強型 MOSFET,其�(shè)計優(yōu)化了在高電流和高頻應(yīng)用中的表�(xiàn)。此�,其封裝形式和引腳布局�(jīng)過專門�(shè)�,能夠適�(yīng)多種�(fù)雜的�(yīng)用環(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  導通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)速度�10ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206A271GBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,可有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源和逆變器等場景�
  3. �(nèi)置過溫保護功�,能夠在極端條件下提供額外的安全保障�
  4. 封裝堅固耐用,抗干擾能力�,適合惡劣的工作�(huán)��
  5. 提供�(wěn)定的電氣性能,支持長時間�(wěn)定運��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電機�(qū)動與控制
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管�
  5. 通信�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)�
  6. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(yīng)�

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06
  FDP5580
  IXFH40N06P

ga1206a271gbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-