GA1206A271GBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電源等領(lǐng)�。該芯片采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,從而提升了整體效率并降低了能��
該型號屬于溝道增強型 MOSFET,其�(shè)計優(yōu)化了在高電流和高頻應(yīng)用中的表�(xiàn)。此�,其封裝形式和引腳布局�(jīng)過專門�(shè)�,能夠適�(yīng)多種�(fù)雜的�(yīng)用環(huán)境�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)速度�10ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1206A271GBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源和逆變器等場景�
3. �(nèi)置過溫保護功�,能夠在極端條件下提供額外的安全保障�
4. 封裝堅固耐用,抗干擾能力�,適合惡劣的工作�(huán)��
5. 提供�(wěn)定的電氣性能,支持長時間�(wěn)定運��
這款功率 MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動與控制
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管�
5. 通信�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)�
6. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(yīng)�
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5580
IXFH40N06P