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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF1902TRPBF

IRF1902TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 11:22:06 查看 閱讀�15

IRF1902TRPBF是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-263-3封裝形式,適用于多種電源管理�(yīng)�,包括開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn)使得IRF1902TRPBF成為高效能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
  這款功率MOSFET在設(shè)�(jì)上注重降低傳�(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損�,同�(shí)提供良好的熱性能以支持更高的功率密度�

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�37A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  總柵極電荷:45nC
  輸入電容�1500pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRF1902TRPBF具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 較高的漏源擊穿電壓(Vds�,使其能夠承受更高電壓的�(yīng)用環(huán)境�
  3. 高速開(kāi)�(guān)能力,得益于較低的總柵極電荷(Qg)和輸出電荷(Qoss��
  4. �(yōu)化的熱阻抗設(shè)�(jì),確保了良好的散熱性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 封裝形式為T(mén)O-263-3,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)用�

�(yīng)�

IRF1902TRPBF廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,例如AC-DC適配器和工業(yè)電源供應(yīng)�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及反激式拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器,用于控制步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型電機(jī)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 電動(dòng)汽車充電站和其他新能源相�(guān)�(yīng)��
  6. 大功率LED�(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

IRF1902TRPBF, IRF1902G, IRFZ44N, FDP5580

irf1902trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf1902trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫歐 @ 4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds310pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF1902TRPBF-NDIRF1902TRPBFTR