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GA1206A332FBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 14:52:35 查看 閱讀�15

GA1206A332FBCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能等特�(diǎn),廣泛適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)�(yīng)用領(lǐng)域�
  這款芯片通過(guò)�(yōu)化結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)整體效率,同�(shí)具備�(qiáng)大的抗電磁干擾能�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A332FBCBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝形式:BCCBR31G
  VDS(漏源電壓)�120V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�33mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):65A
  Qg(柵極電荷)�9nC
  f(工作頻率)�500kHz
  Ptot(總功耗)�200W
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C to +175°C

特�

GA1206A332FBCBR31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),僅�33mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損耗�
  2. 快速開�(guān)速度,柵極電荷Qg僅為9nC,有助于提高工作效率并減少開�(guān)損��
  3. 高耐壓能力,VDS高達(dá)120V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 大電流處理能�,支持最�65A的持�(xù)漏極電流�
  5. �(yōu)異的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫范圍(-55°C�+175°C�,適�(yīng)惡劣的工作條��
  6. 封裝形式緊湊且堅(jiān)固,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于高效的電壓�(diào)節(jié)�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS�,以�(shí)�(xiàn)精確的充放電控制�

替代型號(hào)

GA1206A350FBCBR31G, IRFZ44N, FDP18N12

ga1206a332fbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-