GA1206A3R3BBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該型號屬于功率半�(dǎo)體家族中的MOSFET類別,具體為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�。它在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色,并支持大電流操��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻:3mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GA1206A3R3BBCBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3mΩ�,減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效率�
2. 高電流承載能力(35A�,適用于需要較大負(fù)載電流的�(yīng)��
3. 快速的開關(guān)速度,適合高頻工作環(huán)境,有助于縮小磁性元件尺��
4. 出色的熱性能�(shè)�(jì),確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 封裝形式緊湊,便于PCB布局和散熱管��
這款芯片廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的�(fù)載切��
4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信�(shè)備的電源模塊�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
GA1206A3R3BBCTRG, IRFZ44N, FDP5512