GA1206A3R3CXLBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)合,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 開(kāi)關(guān)電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其封裝形式為 XLBP31G,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效降低寄生電感并提升散熱性能。
該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,通過(guò)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)特性,可以顯著提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:40A
導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷:80nC
開(kāi)關(guān)速度:超快
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:XLBP31G
GA1206A3R3CXLBP31G 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ),這使得它在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)減少了傳導(dǎo)損耗。此外,其超快的開(kāi)關(guān)速度也使其非常適合高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。
該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。得益于其 XLBP31G 封裝,該芯片不僅提供了出色的散熱性能,還支持高效的自動(dòng)化生產(chǎn)過(guò)程。
另外,其低柵極電荷特性有助于降低驅(qū)動(dòng)功耗,進(jìn)一步提升了整體系統(tǒng)的效率。綜合來(lái)看,這款功率 MOSFET 是需要高效能和高可靠性的電力電子設(shè)備的理想選擇。
GA1206A3R3CXLBP31G 廣泛應(yīng)用于各類功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:用于筆記本電腦適配器、服務(wù)器電源模塊等。
2. AC-DC 開(kāi)關(guān)電源:如電視電源、LED 驅(qū)動(dòng)電源等。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于家用電器中的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):適用于電動(dòng)汽車(chē)或儲(chǔ)能系統(tǒng)的保護(hù)電路。
5. 充電器:手機(jī)快速充電器及其他便攜式設(shè)備充電解決方案。
憑借其卓越的性能,這款 MOSFET 成為了許多高要求應(yīng)用中的首選元件。
GA1206A3R3CXLBP31G-A, GA1206A3R3CXLBP31G-B