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GA1206A3R3CXLBP31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 16:12:03 查看 閱讀:19

GA1206A3R3CXLBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)合,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 開(kāi)關(guān)電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其封裝形式為 XLBP31G,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效降低寄生電感并提升散熱性能。
  該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,通過(guò)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)特性,可以顯著提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷:80nC
  開(kāi)關(guān)速度:超快
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:XLBP31G

特性

GA1206A3R3CXLBP31G 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ),這使得它在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)減少了傳導(dǎo)損耗。此外,其超快的開(kāi)關(guān)速度也使其非常適合高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。
  該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持可靠運(yùn)行。得益于其 XLBP31G 封裝,該芯片不僅提供了出色的散熱性能,還支持高效的自動(dòng)化生產(chǎn)過(guò)程。
  另外,其低柵極電荷特性有助于降低驅(qū)動(dòng)功耗,進(jìn)一步提升了整體系統(tǒng)的效率。綜合來(lái)看,這款功率 MOSFET 是需要高效能和高可靠性的電力電子設(shè)備的理想選擇。

應(yīng)用

GA1206A3R3CXLBP31G 廣泛應(yīng)用于各類功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:用于筆記本電腦適配器、服務(wù)器電源模塊等。
  2. AC-DC 開(kāi)關(guān)電源:如電視電源、LED 驅(qū)動(dòng)電源等。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于家用電器中的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):適用于電動(dòng)汽車(chē)或儲(chǔ)能系統(tǒng)的保護(hù)電路。
  5. 充電器:手機(jī)快速充電器及其他便攜式設(shè)備充電解決方案。
  憑借其卓越的性能,這款 MOSFET 成為了許多高要求應(yīng)用中的首選元件。

替代型號(hào)

GA1206A3R3CXLBP31G-A, GA1206A3R3CXLBP31G-B

ga1206a3r3cxlbp31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.3 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-