GA1206A561FBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道增強型場效應晶體管。該芯片主要應用于電源管�、電機驅動以及各類開關電路中,能夠提供低導通電阻和高電流處理能�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具有出色的散熱性能和可靠性�
該器件適用于需要高效能轉換的應用場�,例� DC-DC 轉換器、電池管理系�(tǒng)以及工業(yè)控制設備��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�70nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A561FBABR31G 的核心優(yōu)勢在于其低導通電阻設計,這使得其在大電流應用中的功耗顯著降�,同時提高了整體效率。此�,該芯片具備快速開關速度,能夠適應高頻工作的需�,減少電磁干擾�
該器件還采用了先進的封裝技�,確保了良好的熱傳導性能,從而延長使用壽命并提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性�
其高耐壓值與大電流承載能力使其非常適合于需要強負載支持的場�,例如電動車驅動系統(tǒng)或工�(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
該芯片廣泛應用于多種領域,包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS)及 DC-DC 轉換�
2. 電動車輛電機控制�
3. 工業(yè)逆變器與變頻�
4. 大功� LED 驅動電路
5. UPS 不間斷電源系�(tǒng)
6. 各類電子負載保護電路
IRFZ44N
FDP5500
AOT290L