GA1206A561JBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。
該型號屬于溝道增強型MOSFET,能夠提供高效的電力傳輸和良好的耐熱能力。其封裝形式為行業(yè)標準,便于設(shè)計和集成到各種電路中。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:45A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:85nC
開關(guān)頻率:高達1MHz
工作溫度范圍:-55℃至175℃
GA1206A561JBBBR31G具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻確保了在高電流應(yīng)用中的高效能量轉(zhuǎn)換。
2. 高速開關(guān)能力使其非常適合高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. 強大的散熱設(shè)計可支持長時間運行而不降低性能。
4. 嚴格的電氣參數(shù)控制,保證了產(chǎn)品的一致性和可靠性。
5. 支持多種保護功能,如過流保護和短路保護,提高了系統(tǒng)的安全性。
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足全球市場的法規(guī)要求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和AC-DC適配器。
2. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電機驅(qū)動系統(tǒng)。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和控制模塊。
4. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于服務(wù)器、通信設(shè)備和消費電子產(chǎn)品。
5. 負載開關(guān)和電池保護電路。
6. 大功率LED驅(qū)動器以及各種工業(yè)級和消費級電子設(shè)備。
GA1206A561JBBBR29G
IRFZ44N
FDP5800
AON6808