時間：2025/5/20 12:31:07
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GA1206A680FXLBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為 LFPAK33，能夠提供卓越的電氣性能和可靠性。
這款功率 MOSFET 的設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率和散熱性能的嚴(yán)格要求。通過優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，GA1206A680FXLBP31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)出色，同時還能降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。
型號：GA1206A680FXLBP31G
類型：N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
VDS（漏源電壓）：60V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：4.5mΩ
ID（持續(xù)漏電流）：110A
Qg（柵極電荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：270mJ
fSW（推薦開關(guān)頻率）：1MHz
封裝：LFPAK33
GA1206A680FXLBP31G 具有以下主要特性：
- 低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：在典型條件下僅為 4.5mΩ，顯著降低了導(dǎo)通損耗。
- 高電流能力：支持高達(dá) 110A 的連續(xù)漏電流，適用于大功率應(yīng)用。
- 快速開關(guān)性能：低柵極電荷 (25nC)，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
- 熱增強(qiáng)型封裝：LFPAK33 封裝具備出色的散熱性能，可有效降低結(jié)溫。
- 雪崩能力：具有較高的雪崩能量 (270mJ)，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
- 小尺寸封裝：節(jié)省 PCB 空間，便于緊湊型設(shè)計。
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
GA1206A680FXLBP31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
- 開關(guān)電源 (SMPS)：
包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于筆記本電腦適配器、服務(wù)器電源等。
- 電機(jī)驅(qū)動：
適用于無刷直流電機(jī) (BLDC) 和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器，特別是在家電和工業(yè)自動化中。
- 負(fù)載切換：
提供高效可靠的負(fù)載切換功能，常用于汽車電子和通信設(shè)備。
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)：
實現(xiàn)電池保護(hù)和充放電控制，確保系統(tǒng)安全運行。
- 工業(yè)電源：
用于焊接設(shè)備、不間斷電源 (UPS) 和其他需要高效率和可靠性的工業(yè)應(yīng)用。
GA1206A680FXLBP32G, IRF3710PbF, FDP5500NL
