GA1206A820GXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能,適用于需要高效能轉(zhuǎn)換和快速開關(guān)的應(yīng)用場景。
該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并提供大電流處理能力,同時(shí)支持高頻工作環(huán)境。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷(Qg):79nC
輸入電容(Ciss):3420pF
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-247
GA1206A820GXEBP31G具有以下顯著特點(diǎn):
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),有效降低功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流和電壓能力,確保在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場景。
4. 良好的熱性能,有助于提升散熱效果,延長器件使用壽命。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛材料,滿足現(xiàn)代工業(yè)對(duì)綠色產(chǎn)品的嚴(yán)格要求。
6. 具備出色的雪崩能力和抗干擾性能,提高了系統(tǒng)的可靠性。
該芯片廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),用于控制各種類型的電機(jī)運(yùn)行。
3. 逆變器電路,為太陽能發(fā)電和不間斷電源(UPS)提供核心元件。
4. 各類電子負(fù)載設(shè)備中的功率管理模塊。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
其強(qiáng)大的電氣特性和可靠性使其成為眾多高性能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
IRFP250N
FDP58N60
STP50NF06L