GA1206A821GXLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
該芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,適用于需要高效率和低損耗的電子設(shè)備。其封裝形式緊湊,適合高密度設(shè)計(jì),并且具備出色的熱性能,確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
總柵極電荷(Qg):45nC
輸入電容(Ciss):1350pF
開關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
GA1206A821GXLBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可顯著減少導(dǎo)通損耗。
2. 快速的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提升效率。
3. 高電流承載能力,支持高達(dá) 15A 的連續(xù)漏極電流。
4. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于 PCB 布局優(yōu)化。
5. 具備強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,在極端溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)可靠。
6. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制(如過(guò)流保護(hù)),提高了整體系統(tǒng)的可靠性。
7. 柵極驅(qū)動(dòng)要求低,易于與邏輯電路配合使用。
這款功率 MOSFET 被廣泛用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)管。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,例如步進(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電機(jī)等。
3. 汽車電子領(lǐng)域,如引擎控制單元、電池管理系統(tǒng)(BMS) 等。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路以及太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換部分。
IRFZ44N
AO3400
FDP5500