GA1206A8R2DBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率電力�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和小體積的需�。通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,該芯片能夠在高頻工作條件下保持出色的性能�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2mΩ
柵極電荷�70nC
總電容:1300pF
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-247
GA1206A8R2DBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),支持高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下具備更高的可靠��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
5. 支持大電流負(fù)�,適用于工業(yè)�(jí)高功率應(yīng)用場(chǎng)景�
6. 提供出色的熱性能,能夠有效降低芯片溫度并延長(zhǎng)使用壽命�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源汽車及充電樁的電力管理系統(tǒng)�
4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
GA1206A8R2DBCBR29G
IRF2807
FDP177N06B
STP100N06FP