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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A8R2DBCBR31G

GA1206A8R2DBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 16:06:41 查看 閱讀�19

GA1206A8R2DBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率電力�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和小體積的需�。通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,該芯片能夠在高頻工作條件下保持出色的性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2mΩ
  柵極電荷�70nC
  總電容:1300pF
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A8R2DBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  2. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),支持高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下具備更高的可靠��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  5. 支持大電流負(fù)�,適用于工業(yè)�(jí)高功率應(yīng)用場(chǎng)景�
  6. 提供出色的熱性能,能夠有效降低芯片溫度并延長(zhǎng)使用壽命�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 新能源汽車及充電樁的電力管理系統(tǒng)�
  4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1206A8R2DBCBR29G
  IRF2807
  FDP177N06B
  STP100N06FP

ga1206a8r2dbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-