GA1206Y123KXXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該型�(hào)采用先�(jìn)的制造工�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的工作狀�(tài),同�(shí)具備出色的熱性能和電氣性能,適合對(duì)可靠性要求較高的工業(yè)及汽車應(yīng)��
類型:功� MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電壓(Vds):1200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):6A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.8Ω
總功耗(Ptot):150W
工作溫度范圍(Tj):-55°C � +175°C
存儲(chǔ)溫度范圍(Tstg):-65°C � +150°C
GA1206Y123KXXBR31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(1200V�,適用于高壓�(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.8Ω�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速的開關(guān)速度,支持高頻工作模�,能夠降低開�(guān)損耗�
4. 高溫�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持可靠的性能�
5. �(nèi)置過流保�(hù)功能,提升系�(tǒng)的安全性和可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種設(shè)�(jì)中�
這些特性使� GA1206Y123KXXBR31G 成為高壓功率�(zhuǎn)換的理想選擇,特別適合在惡劣�(huán)境下�(yùn)行的�(shè)備�
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)�(zhuǎn)��
2. 工業(yè)控制中的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率管理�
4. 太陽能逆變器中� DC-DC � DC-AC �(zhuǎn)換�
5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和車載充電��
6. 高壓�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
GA1206Y123KXXBR31G 憑借其卓越的性能和可靠�,在以上�(lǐng)域均表現(xiàn)出色,能夠滿足多種復(fù)雜工況的需��
IRFP460, STP12NM60, FDP12N120