GA1206Y221JBLBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,屬于溝道增強型場效應(yīng)晶體管系�。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負(fù)載切換等場景�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升電路效率并降低功耗�
該型號采用了先進的制造工�,確保了其在高頻工作條件下的�(wěn)定性和可靠�。此�,其封裝�(shè)計優(yōu)化了散熱性能,適合高功率密度的應(yīng)用場��
型號:GA1206Y221JBLBR31G
類型:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vdss)�120V
最大柵源電�(Vgss):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�60A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型值,@Vgs=10V�
總功�(Ptot)�450W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1206Y221JBLBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的魯棒��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能輸出�
5. 緊湊且高效的封裝�(shè)�,便于散熱管理和安裝�
6. 具備靜電放電保護功能,提高了�(chǎn)品的可靠��
這些特點使得 GA1206Y221JBLBR31G 成為許多高功率應(yīng)用場景的理想選擇,特別是在需要高效能和高可靠性的系統(tǒng)中�
GA1206Y221JBLBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) 中的主開�(guān)元件�
2. 電機�(qū)動電路中的功率控制組件�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換模��
4. 新能源汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器及逆變��
5. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)部分�
6. 各種高功率密度設(shè)計中的關(guān)鍵功率處理單��
由于其卓越的性能,該器件特別適用于需要高效率、高可靠性和快速動�(tài)響應(yīng)的場��
IRFZ44N
FDP55N12
STP120NF12
IXFN120N10T2