GA1206Y272KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路以及電機(jī)�(qū)動等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高耐壓特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,非常適合在工業(yè)級或汽車級應(yīng)用中使用。通過�(jié)合低柵極電荷與快速開�(guān)速度的特�(diǎn),該芯片可為高頻開關(guān)�(yīng)用提供卓越性能�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�65A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.7mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�85nC
總電�(Ciss)�4020pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1206Y272KXBBR31G具有以下突出特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,使得其非常適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器及PWM控制��
3. 高雪崩能量能力,提高了器件在異常情況下的魯棒��
4. 緊湊的封裝設(shè)計降低了寄生電感,提升了整體性能�
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)極端�(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持長期供貨�
該芯片廣泛應(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)動器中的半橋或全橋配置�
3. 太陽能逆變器中的功率級元件�
4. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
6. LED照明�(qū)動中的同步整流部分�
由于其出色的電氣特性和可靠�,GA1206Y272KXBBR31G已成為許多工程師�(shè)計高功率密度�(chǎn)品的首選方案�
GA1206Y271KXBBR31G
IRFP260N
FDP18N120
STW92N120K5