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GA1206Y272KXBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 9:07:51 查看 閱讀�21

GA1206Y272KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路以及電機(jī)�(qū)動等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高耐壓特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,非常適合在工業(yè)級或汽車級應(yīng)用中使用。通過�(jié)合低柵極電荷與快速開�(guān)速度的特�(diǎn),該芯片可為高頻開關(guān)�(yīng)用提供卓越性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�65A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.7mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg)�85nC
  總電�(Ciss)�4020pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206Y272KXBBR31G具有以下突出特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,使得其非常適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器及PWM控制��
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在異常情況下的魯棒��
  4. 緊湊的封裝設(shè)計降低了寄生電感,提升了整體性能�
  5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)極端�(huán)境下的應(yīng)用需��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持長期供貨�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)動器中的半橋或全橋配置�
  3. 太陽能逆變器中的功率級元件�
  4. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  6. LED照明�(qū)動中的同步整流部分�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,GA1206Y272KXBBR31G已成為許多工程師�(shè)計高功率密度�(chǎn)品的首選方案�

替代型號

GA1206Y271KXBBR31G
  IRFP260N
  FDP18N120
  STW92N120K5

ga1206y272kxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-