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GA1206Y273JBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 13:05:40 查看 閱讀�4

GA1206Y273JBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)生�(chǎn)流程,同�(shí)提供了出色的散熱性能�

參數(shù)

型號:GA1206Y273JBBBT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  VDS(漏源極耐壓):120V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  IDS(持�(xù)漏極電流):60A
  PD(功耗)�200W
  VGS(柵源極電壓):±20V
  fSW(最大工作頻率)�500kHz
  封裝:TO-263(D2PAK�

特�

GA1206Y273JBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可有效降低�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),適用于高頻�(yīng)用場�,減少開�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的電流處理能力,支持高�(dá) 60A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 良好的熱性能,確保在高功率環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 具備�(qiáng)大的抗靜電能力(ESD�,提高可靠性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封裝�
  該芯片結(jié)合了高效能與可靠�,非常適合用于各種高功率電子系統(tǒng)��

�(yīng)�

GA1206Y273JBBBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和功率因�(shù)校正電路(PFC)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如直流無刷電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)��
  3. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部分�
  憑借其卓越的性能和可靠�,這款 MOSFET 成為許多高要求應(yīng)用場景的理想選擇�

替代型號

GA1206Y272JBBBT31G, IRFZ44N, FDP18N12B

ga1206y273jbbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-