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GA1206Y273JBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/9 13:05:40 查看 閱讀:4

GA1206Y273JBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
  其封裝形式為 TO-263(D2PAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)流程,同時(shí)提供了出色的散熱性能。

參數(shù)

型號:GA1206Y273JBBBT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  VDS(漏源極耐壓):120V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  IDS(持續(xù)漏極電流):60A
  PD(功耗):200W
  VGS(柵源極電壓):±20V
  fSW(最大工作頻率):500kHz
  封裝:TO-263(D2PAK)

特性

GA1206Y273JBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),可有效降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率。
  2. 高開關(guān)速度設(shè)計(jì),適用于高頻應(yīng)用場合,減少開關(guān)損耗。
  3. 強(qiáng)大的電流處理能力,支持高達(dá) 60A 的連續(xù)漏極電流。
  4. 良好的熱性能,確保在高功率環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 具備強(qiáng)大的抗靜電能力(ESD),提高可靠性。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛封裝。
  該芯片結(jié)合了高效能與可靠性,非常適合用于各種高功率電子系統(tǒng)中。

應(yīng)用

GA1206Y273JBBBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和功率因數(shù)校正電路(PFC)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,例如直流無刷電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
  3. 汽車電子設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
  憑借其卓越的性能和可靠性,這款 MOSFET 成為許多高要求應(yīng)用場景的理想選擇。

替代型號

GA1206Y272JBBBT31G, IRFZ44N, FDP18N12B

ga1206y273jbbbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-