GA1206Y273JBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)生�(chǎn)流程,同�(shí)提供了出色的散熱性能�
型號:GA1206Y273JBBBT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極耐壓):120V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
IDS(持�(xù)漏極電流):60A
PD(功耗)�200W
VGS(柵源極電壓):±20V
fSW(最大工作頻率)�500kHz
封裝:TO-263(D2PAK�
GA1206Y273JBBBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可有效降低�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),適用于高頻�(yīng)用場�,減少開�(guān)損��
3. �(qiáng)大的電流處理能力,支持高�(dá) 60A 的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱性能,確保在高功率環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 具備�(qiáng)大的抗靜電能力(ESD�,提高可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封裝�
該芯片結(jié)合了高效能與可靠�,非常適合用于各種高功率電子系統(tǒng)��
GA1206Y273JBBBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和功率因�(shù)校正電路(PFC)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如直流無刷電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)��
3. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部分�
憑借其卓越的性能和可靠�,這款 MOSFET 成為許多高要求應(yīng)用場景的理想選擇�
GA1206Y272JBBBT31G, IRFZ44N, FDP18N12B