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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y274MBABR31G

GA1206Y274MBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 16:45:43 查看 閱讀�19

GA1206Y274MBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,適用于高電�、高頻應(yīng)用場(chǎng)合,支持大功率負(fù)載的高效控制。其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�150A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�95nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=14ns, toff=33ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

GA1206Y274MBABR31G 的主要特�(diǎn)是具備超低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  其次,該器件具有非常低的柵極電荷和輸出電�,從而實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
  此外,它還擁有出色的熱性能和魯棒性,能夠承受較大的脈沖電流沖�,并在高溫環(huán)境下保持可靠�(yùn)��
  此款MOSFET采用了優(yōu)化的封裝技�(shù),便于散熱和安裝,同�(shí)提供良好的電氣隔離性能�

�(yīng)�

該芯片適合用于工�(yè)和消�(fèi)類電子中的多種場(chǎng)景,包括但不限于�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 太陽(yáng)能逆變�
  6. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)
  其強(qiáng)大的電流處理能力和快速開�(guān)特�,使其成為需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確功率控制的理想選��

替代型號(hào)

GA1206Y272MAAR31G
  IRF3205
  FDP55N06L

ga1206y274mbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.27 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-