GA1206Y274MBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,適用于高電�、高頻應(yīng)用場(chǎng)合,支持大功率負(fù)載的高效控制。其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�150A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)�(shí)間:ton=14ns, toff=33ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
GA1206Y274MBABR31G 的主要特�(diǎn)是具備超低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
其次,該器件具有非常低的柵極電荷和輸出電�,從而實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
此外,它還擁有出色的熱性能和魯棒性,能夠承受較大的脈沖電流沖�,并在高溫環(huán)境下保持可靠�(yùn)��
此款MOSFET采用了優(yōu)化的封裝技�(shù),便于散熱和安裝,同�(shí)提供良好的電氣隔離性能�
該芯片適合用于工�(yè)和消�(fèi)類電子中的多種場(chǎng)景,包括但不限于�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)
其強(qiáng)大的電流處理能力和快速開�(guān)特�,使其成為需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確功率控制的理想選��
GA1206Y272MAAR31G
IRF3205
FDP55N06L