GA1206Y393JBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器和電機驅動等場景。該器件采用先進的制造工藝,在提供高效率的同時,具備出色的熱性能和電氣特性。其封裝形式為TO-247-3L,具有較高的電流處理能力和較低的導通電阻,適合大功率應用環(huán)境。
該功率MOSFET通過優(yōu)化設計,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率,同時具備快速開關速度和良好的抗干擾能力。
類型:N溝道增強型
最大漏源電壓Vds:650V
最大柵源電壓Vgs:±20V
最大連續(xù)漏極電流Id:12A
導通電阻Rds(on):0.3Ω
總功耗Ptot:218W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
GA1206Y393JBBBR31G具有以下關鍵特性:
1. 高耐壓值(650V),適合多種高壓應用場景;
2. 低導通電阻(0.3Ω),有助于減少功率損耗并提高效率;
3. 快速開關速度,可支持高頻開關應用;
4. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于惡劣的工作環(huán)境;
5. 具備強大的電流承載能力(12A);
6. TO-247-3L封裝設計,便于散熱管理,適合大功率設備;
7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛。
這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消費類電子領域,具體包括但不限于以下應用:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件;
2. DC-DC轉換器中的主開關管;
3. 各類電機驅動電路,如步進電機、伺服電機等;
4. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊;
5. 工業(yè)自動化設備中的電源管理部分;
6. 電動車充電站及相關電力電子設備;
7. LED驅動電源及各類高效能照明系統(tǒng)。
IRFP250N, STP12NM60, FQA12N65S7