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GA1206Y394KBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 18:12:01 查看 閱讀�17

GA1206Y394KBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場�。該器件采用了先進的溝道工藝技�,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��
  該芯片適用于多種工業(yè)和消費電子領�,憑借其�(yōu)異的電氣性能和可靠�,成為許多設計工程師的理想選��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�50A
  導通電阻(典型值)�2.5mΩ
  總柵極電荷:75nC
  輸入電容�2280pF
  開關速度:非常快
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1206Y394KBABR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導通電�,有效降低功率損耗�
  2. 高電流承載能�,支持高�50A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開關特�,有助于減少開關損�,提升整體效率�
  4. 強大的熱�(wěn)定�,適合高溫環(huán)境下的應��
  5. 良好的電氣性能與可靠性的結合,確保長期穩(wěn)定運��
  6. 小型化封裝設�,節(jié)省PCB空間�
  7. 符合RoHS標準,環(huán)保無��

應用

這款功率MOSFET適用于以下應用領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. 電機�(qū)動與控制
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動化設�
  6. 汽車電子系統(tǒng)
  7. LED�(qū)動電�
  8. 各類負載切換和保護電�

替代型號

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP5500
  IXFN50N06T2

ga1206y394kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.39 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-