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NUD3160DMT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/10 10:54:38 查看 閱讀：781

NUD3160DMT1G

目錄

概述

漏源電壓VBR MAX（V）：60

漏電流IC（mA）：150

功耗EZ（mj）：250

封裝/溫度(℃)：SC-74/-40~85

描述：集成繼電器電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

資料

廠商
ON Semiconductor

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nud3160dmt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān)
  • 系列MicroIntegration™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反相
  • 輸出數(shù)2
  • 導(dǎo)通狀態(tài)電阻2.4 歐姆
  • 電流 - 輸出 / 通道200mA
  • 電流 - 峰值輸出-
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74，SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-74
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NUD3160DMT1GOSNUD3160DMT1GOS-NDNUD3160DMT1GOSTR