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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y562JBABR31G

GA1206Y562JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:52:22 查看 閱讀�22

GA1206Y562JBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低損耗應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,能夠提供卓越的開(kāi)�(guān)性能和導(dǎo)通特�,適用于多種電源管理�(chǎng)景,包括�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)�。其出色的熱特性和耐用性使其成為需要高可靠性的工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
  該型�(hào)通常以表面貼裝的形式提供,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和組�,同�(shí)具備良好的電氣隔離性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)速度:超高�
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有效降低功率損��
  2. 高電流處理能�,適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,減少開(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(yùn)��
  5. 高度可靠的封裝設(shè)�(jì),抗潮濕和抗腐蝕能力�(qiáng)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高功率密度的�(chǎng)�,例如:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制�
  4. 新能源汽車的DC-DC�(zhuǎn)換器和充電模��
  5. 大功率LED�(qū)�(dòng)器,用于戶外照明或工�(yè)照明�

替代型號(hào)

GA1206Y562JBABR32G
  IRFP2907
  FDP18N65C
  STP120NF60

ga1206y562jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-