GA1206Y822JBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該芯片為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有出色的熱特性和電氣性能,適用于要求苛刻的工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�90nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 12ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 28ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y822JBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
2. 高額定電流(50A)使其適合大功率�(yīng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,從而減小外部元件體��
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持良好性能�
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片在�(shí)際使用中的可靠性�
6. 封裝采用 TO-247 �(biāo)�(zhǔn),便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
這款功率 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流管�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源領(lǐng)域的太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率控制�
5. 汽車(chē)電子中的 DC/DC �(zhuǎn)換器及照明系�(tǒng)�
其強(qiáng)大的性能和可靠性使其成為眾多功率應(yīng)用的理想選擇�
IRFZ44N
FDP5570
STP50NF06L