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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y822JBCBR31G

GA1206Y822JBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 17:46:42 查看 閱讀�15

GA1206Y822JBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該芯片為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有出色的熱特性和電氣性能,適用于要求苛刻的工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(yīng)用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�90nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 12ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 28ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y822JBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
  2. 高額定電流(50A)使其適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,從而減小外部元件體��
  4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持良好性能�
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片在�(shí)際使用中的可靠性�
  6. 封裝采用 TO-247 �(biāo)�(zhǔn),便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流管�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 新能源領(lǐng)域的太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率控制�
  5. 汽車(chē)電子中的 DC/DC �(zhuǎn)換器及照明系�(tǒng)�
  其強(qiáng)大的性能和可靠性使其成為眾多功率應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5570
  STP50NF06L

ga1206y822jbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-