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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y822MXBBT31G

GA1206Y822MXBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 18:15:59 查看 閱讀�10

GA1206Y822MXBBT31G 是一款高性能的存�(chǔ)器芯�,屬� NAND Flash 類型。它主要用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�,例如固�(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB 閃存�(pán)、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)備等。該芯片采用先�(jìn)的工藝制程,具備高可靠性和低功耗的特點(diǎn)�
  此型�(hào)集成了多平面架構(gòu)和糾�(cuò)功能,能夠顯著提高數(shù)�(jù)讀�(xiě)速度和存�(chǔ)壽命。其�(shè)�(jì)支持多種接口�(biāo)�(zhǔn),確保與主流系統(tǒng)的兼容性�

參數(shù)

容量�128GB
  接口類型:Toggle DDR 2.0
  工作電壓�1.8V
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
  封裝形式:BGA
  工作溫度范圍�-40� � +85�
  擦寫(xiě)壽命�3000 �
  �(yè)�?�?6KB
  塊大小:2MB

特�

GA1206Y822MXBBT31G 提供了卓越的性能和可靠�,適用于�(duì)存儲(chǔ)密度要求較高的環(huán)境。以下是該芯片的主要特點(diǎn)�
  1. 高容量設(shè)�(jì):通過(guò)堆疊技�(shù)�(shí)�(xiàn)大容量存�(chǔ)�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,最高可�(dá) 400MT/s 的傳輸速率�
  3. 多平面操作:允許同時(shí)訪問(wèn)多�(gè)存儲(chǔ)平面,�(jìn)一步提升性能�
  4. ECC 糾錯(cuò)能力:內(nèi)置強(qiáng)大的糾錯(cuò)算法,保障數(shù)�(jù)完整��
  5. 耐用性:采用�(yōu)化的 NAND 單元�(jié)�(gòu),延�(zhǎng)使用壽命�
  6. 低功耗運(yùn)行:在待�(jī)和活�(dòng)模式下均表現(xiàn)出較低的能耗水��
  7. 廣泛的工作溫度范圍:適合工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD):作為主存�(chǔ)介質(zhì)提供快速的�(shù)�(jù)訪問(wèn)能力�
  2. USB 閃存�(pán):用于便攜式�(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�
  3. 嵌入式系�(tǒng):為物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備、智能家電等提供可靠的存�(chǔ)支持�
  4. 移動(dòng)�(shè)備:如平板電腦和智能手機(jī)中的�(nèi)部存�(chǔ)單元�
  5. �(shù)�(jù)記錄儀:用于長(zhǎng)�(shí)間記錄和保存�(guān)鍵信��
  由于其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性,GA1206Y822MXBBT31G 成為許多高需求應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

GA1206Y822MXBBT32G, GA1206Y822MXBBT33G

ga1206y822mxbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-