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MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/7 15:19:56 查看 閱讀:36

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 是一款由 Micron(鎂光)生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和嵌入式應(yīng)用。該系列的 NAND 閃存具有高密度、低功耗和高性能的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和通信領(lǐng)域。
  這款芯片采用 MLC(多層單元)技術(shù),支持 3.3V 供電,并提供大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。其設(shè)計(jì)非常適合需要高可靠性與快速讀寫速度的應(yīng)用場景。

參數(shù)

容量:4GB
  接口類型:ONFI 2.2
  電壓:3.3V
  封裝形式:TSOP
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  數(shù)據(jù)保存時(shí)間:10 年
  擦寫壽命:3000 次

特性

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 提供了卓越的性能和穩(wěn)定性,主要特性如下:
  1. 高密度存儲(chǔ):通過先進(jìn)的制程工藝實(shí)現(xiàn) 4GB 的存儲(chǔ)容量。
  2. 快速接口:支持 ONFI 2.2 接口標(biāo)準(zhǔn),確保高速數(shù)據(jù)傳輸。
  3. 多層單元技術(shù):使用 MLC 技術(shù)以提高單位面積的存儲(chǔ)效率。
  4. 節(jié)能設(shè)計(jì):優(yōu)化功耗管理,在活動(dòng)和待機(jī)模式下均表現(xiàn)出較低的電流消耗。
  5. 廣泛的工作溫度范圍:適合各種環(huán)境下的運(yùn)行需求,包括工業(yè)和戶外應(yīng)用場景。
  6. 可靠性保障:具備長達(dá) 10 年的數(shù)據(jù)保存能力和較高的擦寫壽命,滿足長時(shí)間使用要求。

應(yīng)用

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 因其大容量、低功耗和高可靠性的特點(diǎn),適用于多種場合:
  1. 嵌入式系統(tǒng):如路由器、交換機(jī)和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如平板電腦、智能電視及便攜式多媒體播放器。
  3. 工業(yè)控制設(shè)備:如可編程邏輯控制器 (PLC) 和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。
  4. 汽車電子:導(dǎo)航系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)等。
  5. 存儲(chǔ)卡與 USB 閃存盤:作為主要的存儲(chǔ)介質(zhì)。

替代型號

MT29F4G08ABBDAH4-IT:E
  MT29F4G08ABCEAH4-IT:E

mt29f4g08abbeah4-it:e推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

mt29f4g08abbeah4-it:e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝散裝
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類型非易失
  • 存儲(chǔ)器格式閃存
  • 技術(shù)閃存 - NAND
  • 存儲(chǔ)容量4Gb
  • 存儲(chǔ)器組織512M x 8
  • 存儲(chǔ)器接口并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率-
  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁-
  • 訪問時(shí)間-
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼63-VFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝63-VFBGA(9x11)