時(shí)間：2025/5/7 15:19:56
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MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 是一款由 Micron（鎂光）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和嵌入式應(yīng)用。該系列的 NAND 閃存具有高密度、低功耗和高性能的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和通信領(lǐng)域。
這款芯片采用 MLC（多層單元）技術(shù)，支持 3.3V 供電，并提供大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。其設(shè)計(jì)非常適合需要高可靠性與快速讀寫速度的應(yīng)用場景。
容量：4GB
接口類型：ONFI 2.2
電壓：3.3V
封裝形式：TSOP
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保存時(shí)間：10 年
擦寫壽命：3000 次
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 提供了卓越的性能和穩(wěn)定性，主要特性如下：
1. 高密度存儲(chǔ)：通過先進(jìn)的制程工藝實(shí)現(xiàn) 4GB 的存儲(chǔ)容量。
2. 快速接口：支持 ONFI 2.2 接口標(biāo)準(zhǔn)，確保高速數(shù)據(jù)傳輸。
3. 多層單元技術(shù)：使用 MLC 技術(shù)以提高單位面積的存儲(chǔ)效率。
4. 節(jié)能設(shè)計(jì)：優(yōu)化功耗管理，在活動(dòng)和待機(jī)模式下均表現(xiàn)出較低的電流消耗。
5. 廣泛的工作溫度范圍：適合各種環(huán)境下的運(yùn)行需求，包括工業(yè)和戶外應(yīng)用場景。
6. 可靠性保障：具備長達(dá) 10 年的數(shù)據(jù)保存能力和較高的擦寫壽命，滿足長時(shí)間使用要求。
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 因其大容量、低功耗和高可靠性的特點(diǎn)，適用于多種場合：
1. 嵌入式系統(tǒng)：如路由器、交換機(jī)和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：例如平板電腦、智能電視及便攜式多媒體播放器。
3. 工業(yè)控制設(shè)備：如可編程邏輯控制器 (PLC) 和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。
4. 汽車電子：導(dǎo)航系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)等。
5. 存儲(chǔ)卡與 USB 閃存盤：作為主要的存儲(chǔ)介質(zhì)。
MT29F4G08ABBDAH4-IT:E
MT29F4G08ABCEAH4-IT:E
