GA1210A102GXBAT31G是一種高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等�(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
這款器件通過�(yōu)化柵極電荷和閾值電壓設(shè)�,能夠有效降低開�(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率。其封裝形式支持高效的熱傳導(dǎo),適用于對散熱性能要求較高的場��
型號:GA1210A102GXBAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�12V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�102A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�48nC
輸入電容(Ciss)�4200pF
輸出電容(Coss)�670pF
反向傳輸電容(Crss)�110pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1210A102GXBAT31G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著減少傳�(dǎo)損��
2. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)��
3. 較低的柵極電�,有助于提高開關(guān)速度并降低開�(guān)損��
4. 支持高頻操作,適用于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 良好的熱性能�(shè)�,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性�
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
6. 高效能汽車電子系�(tǒng)中的功率控制單元�
其強(qiáng)大的電流處理能力和低損耗特性使其成為眾多高功率�(yīng)用的理想選擇�
GA1210A101GXBAT31G, IRFZ44N, FDP178N12SBD