GA1210A151FBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供卓越的效率和可靠性。
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在滿足對(duì)效率和散熱性能要求較高的應(yīng)用需求。通過優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選擇,它在降低功耗的同時(shí)提升了系統(tǒng)的整體性能。
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流:18A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:65nC
總電容:1250pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-247
GA1210A151FBBAT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 較大的漏源電壓和漏極電流規(guī)格,確保了其在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的穩(wěn)定性。
4. 優(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),支持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 可靠的電氣性能,在極端溫度條件下仍能保持良好的工作狀態(tài)。
6. 具備強(qiáng)大的抗雪崩能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
這款MOSFET芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中作為主開關(guān)管使用。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他能源管理設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)。
6. 負(fù)載切換及電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
GA1210A150FBBAT31G
IRFZ44N
FDP5570
STP18NF50