GA1210A391KXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
該器件適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域,其封裝形式為 TO-263,確保了良好的散熱性能和可靠性。
型號(hào):GA1210A391KXEAT31G
類型:N-Channel MOSFET
工作電壓(Vds):60V
柵極驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs):10V
最大漏極電流(Id):45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
功耗(Pd):170W
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
GA1210A391KXEAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
2. 快速開關(guān)能力,支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能轉(zhuǎn)換器。
3. 高電流承載能力(高達(dá) 45A),滿足高功率應(yīng)用需求。
4. 提供出色的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
5. 具備 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的抗靜電能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
這款功率 MOSFET 主要應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)元件。
2. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載控制。
4. 各類電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理單元。
6. 高效能源轉(zhuǎn)換解決方案中的核心組件。
IRFZ44N
FDP5800
STP45NF06L