KFA03N10是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率控制應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定�,適用于消費電子、工�(yè)�(shè)備及汽車電子等領(lǐng)��
該型號屬于高壓MOSFET系列,能夠在高電壓環(huán)境下保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備較低的柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗并提高效率�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏電流:3A
�(dǎo)通電阻:0.2Ω
柵源電壓:�20V
功耗:1.8W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
KFA03N10具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低功率損耗�
2. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
5. 小型封裝選項,節(jié)省PCB空間�
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)�
7. 可靠的電氣性能和機械性能,適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于各類電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流電機�(qū)�
3. 負載開關(guān)
4. 電池保護電路
5. LED�(qū)動器
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理
7. 工業(yè)控制中的信號隔離與傳�
KFA03N10憑借其高效能和可靠�,在需要高電壓和低功耗的�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
KFA03N12
IRFZ44N
STP30NF10
FDP30N10S