GA1210A561FBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)點,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低能耗。
這款功率MOSFET支持高電壓操作,適用于各種需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景。其封裝形式緊湊,便于在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高效的功率密度設(shè)計。
型號:GA1210A561FBCAR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):80A
柵極電荷:45nC
功耗:250W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA1210A561FBCAR31G具備卓越的電氣特性和可靠性。首先,其低導(dǎo)通電阻Rds(on)僅4.5mΩ,能夠在大電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。
其次,該器件的高開關(guān)速度得益于優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計,可有效降低開關(guān)過程中的能量損失。
此外,GA1210A561FBCAR31G采用堅固的封裝形式,提供優(yōu)秀的散熱性能,確保即使在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運行。
最后,該芯片的工作溫度范圍廣泛,從-55℃到+175℃,適應(yīng)多種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求。
GA1210A561FBCAR31G廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
1. 工業(yè)設(shè)備中的開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 電動汽車及混合動力汽車的電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)。
3. 高效能逆變器和不間斷電源(UPS)。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)的電力電子設(shè)備。
5. 各類工業(yè)自動化控制系統(tǒng)的功率模塊。
該芯片憑借其優(yōu)異的性能,在這些應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色,滿足了對高效率和可靠性的嚴(yán)格要求。
GA1210A561FBCAR32G, IRFZ44N, FDP5500