GA1210A561KXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應用于電源管理、DC-DC轉換器和電機驅(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電阻、高開關速度和優(yōu)異的熱性能。
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),能夠有效提升散熱效率并支持高電流負載。該芯片適用于工業(yè)控制、消費電子以及汽車電子等領域。
型號:GA1210A561KXAAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):47A
導通電阻(Rds(on)):4.0mΩ
柵極電荷(Qg):85nC
總功耗(Ptot):20W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝:TO-252 (DPAK)
GA1210A561KXAAT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),在 4.0mΩ 的水平下可顯著降低傳導損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達 47A,適合大功率應用。
3. 快速開關性能,柵極電荷僅為 85nC,有助于減少開關損耗。
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),適應各種嚴苛環(huán)境。
5. 小巧而高效的 DPAK 封裝設計,提升了 PCB 布局靈活性和散熱性能。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
7. 穩(wěn)定性和可靠性經(jīng)過嚴格測試,確保長期使用無故障。
GA1210A561KXAAT31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(Switching Power Supplies)中作為主功率開關管。
2. DC-DC 轉換器中的同步整流或降壓/升壓電路。
3. 電機驅(qū)動和控制電路,如步進電機、伺服電機等。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護功能。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
6. 消費電子產(chǎn)品中的高效能電源管理單元。
其卓越的性能和可靠性使其成為眾多高功率密度應用場景的理想選擇。
GA1210A561KXAAT31G,
IRFZ44N,
FDP5570,
AON6810