GA1210A681FBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和�(wěn)定��
該型�(hào)屬于溝道� MOSFET 系列�(chǎn)�,適用于工業(yè)控制、通信�(shè)備以及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的多種場(chǎng)��
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�100A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
總功�(Ptot)�300W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210A681FBAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻應(yīng)��
3. 高電流承載能�,適合大功率�(chǎng)合使��
4. 具備�(yōu)異的熱性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. �(qiáng)大的抗雪崩能力,確保在異常條件下也能保持可靠�(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場(chǎng)的需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),用于提高轉(zhuǎn)換效��
2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)�,提供高效可靠的功率控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
5. 電動(dòng)�(chē)充電裝置及電池管理系�(tǒng)�
6. 通信基站中的功率分配與調(diào)節(jié)電路�
IRFP2907ZPBF,
IXYS_GA120N60S3D,
FDP155N65S,
STP100N10,
Infineon_IRFS7443TRPBF