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GA1210A681JBBAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/4 3:49:37 查看 閱讀:11

GA1210A681JBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用領域。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能。
  這款功率MOSFET屬于N溝道增強型器件,適合高頻開關應用場合,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力,確保其在惡劣環(huán)境下的可靠運行。

參數(shù)

型號:GA1210A681JBBAR31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):10A
  導通電阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總柵極電荷(Qg):35nC
  開關速度:快速開關
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210A681JBBAR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻,可有效減少傳導損耗。
  2. 快速開關速度,適用于高頻應用場合。
  3. 高雪崩能量能力,增強了器件的魯棒性。
  4. 良好的熱性能,有助于散熱設計的簡化。
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全。
  6. 提供優(yōu)異的電磁兼容性表現(xiàn),減少對其他電路的影響。
  這些特點使得該器件在眾多功率電子應用中表現(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和小型化的需求。

應用

該功率MOSFET廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景:
  1. 開關電源(SMPS),包括適配器和充電器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于汽車電子和工業(yè)控制。
  3. 電機驅(qū)動,涵蓋從小型直流電機到大型伺服系統(tǒng)。
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),提供精確的充放電控制。
  通過使用 GA1210A681JBBAR31G,可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換,同時保持較高的系統(tǒng)穩(wěn)定性。

替代型號

GA1210A681JBBAR31H, IRFZ44N, FQP50N06L

ga1210a681jbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-