時間：2025/5/29 13:18:48
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GA1210A681JBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
這款芯片適用于高頻率和高效率的應(yīng)用場景，同時具有良好的熱性能和可靠性，確保在各種復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運行。
型號：GA1210A681JBBAT31G
類型：N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：120V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：68A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.5mΩ
總柵極電荷(Qg)：120nC
輸入電容(Ciss)：4800pF
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-247-3
GA1210A681JBBAT31G具有以下關(guān)鍵特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。
2. 快速開關(guān)特性，支持高頻工作環(huán)境，適合現(xiàn)代高效能電源設(shè)計。
3. 高電流承載能力，連續(xù)漏極電流高達68A，滿足大功率應(yīng)用需求。
4. 良好的熱性能，優(yōu)化了散熱設(shè)計，提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
5. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)極端環(huán)境下的使用要求。
6. 封裝堅固耐用，便于焊接和安裝，提升了生產(chǎn)效率。
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電子設(shè)備中，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源(SMPS)，用于計算機、服務(wù)器和其他電子設(shè)備的電源模塊。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
3. 電機驅(qū)動，用于家用電器、電動工具以及工業(yè)自動化設(shè)備。
4. 充電器，如手機快充、筆記本電腦適配器等。
5. 各類逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
GA1210A681JBBAT31H, IRFZ44N, FDP17N10
