GA1210A682KBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該芯片采用先進的制造工藝和封裝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和極高的開�(guān)速度,適用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換場�。其主要�(yīng)用包括開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)��
類型:功率MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.8mΩ
漏源擊穿電壓(Vds):120V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.2V
連續(xù)漏極電流(Id):75A
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至150�
GA1210A682KBBAR31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場景,減少開關(guān)損��
3. 強大的電流承載能�,支持高�75A的連續(xù)漏極電流�
4. 高耐壓性能,可承受高達120V的漏源電壓�
5. 小型化設(shè)計結(jié)合高效的散熱性能,滿足緊湊型�(shè)計需��
6. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運��
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS�,提供高效穩(wěn)定的直流輸出�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和能量傳輸�
3. 電機�(qū)�,控制電機的速度和方��
4. 負載開關(guān),實�(xiàn)電路的快速開閉操��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. 電動汽車及混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
GA1210A682KBBAR29G
IRF1200
FDP16N120
STP75N120K5