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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A821GXEAT31G

GA1210A821GXEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 0:10:51 查看 閱讀�15

GA1210A821GXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,具有快速開(kāi)�(guān)特性和出色的熱�(wěn)定�,非常適合要求高效能和可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�82A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�190W
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1210A821GXEAT31G 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下也能保持可靠性�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度有助于降低開(kāi)�(guān)損�,并允許更高的工作頻��
  4. �(yōu)化的 Qg(柵極電荷)�(shè)�(jì),可降低�(qū)�(dòng)損��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. 良好的熱性能使其能夠在高功率密度�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  7. 支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于自�(dòng)化生�(chǎn)與組��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的逆變器或斬波器功��
  3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 通信電源和服�(wù)器電源模塊中的同步整流�
  5. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)�(shè)備中的功率管��
  6. 各種需要高效率和大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1210A821GXEAJ21G
  IRFP260N
  STP80NF120
  FDP8880

ga1210a821gxeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-