GA1210A821GXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,具有快速開(kāi)�(guān)特性和出色的熱�(wěn)定�,非常適合要求高效能和可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�82A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功�(Ptot)�190W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210A821GXEAT31G 具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下也能保持可靠性�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度有助于降低開(kāi)�(guān)損�,并允許更高的工作頻��
4. �(yōu)化的 Qg(柵極電荷)�(shè)�(jì),可降低�(qū)�(dòng)損��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. 良好的熱性能使其能夠在高功率密度�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
7. 支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于自�(dòng)化生�(chǎn)與組��
這款功率 MOSFET 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的逆變器或斬波器功��
3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
4. 通信電源和服�(wù)器電源模塊中的同步整流�
5. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)�(shè)備中的功率管��
6. 各種需要高效率和大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)��
GA1210A821GXEAJ21G
IRFP260N
STP80NF120
FDP8880