GA1210H103MXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的應用場景。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和快速開關性能的特�,從而提高了整體效率并減少了熱量�(chǎn)��
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,適合中高電壓應用場�。其出色的電氣特性使其在眾多工業(yè)和消費電子領域中得到廣泛應用�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�40nC
開關速度:快�
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 低導通電阻設計顯著降低了功率損�,提升了系統(tǒng)效率�
2. 快速開關特性使得該器件適用于高頻操作環(huán)境�
3. 高雪崩能量能力增強了�(chǎn)品的可靠�,在異常條件下能夠承受更大的瞬態(tài)電壓�
4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
5. 具備抗靜電保護功�,提高了生產(chǎn)過程中的耐用性�
1. 開關電源(SMPS)中的功率級控制�
2. 電動工具及家用電器的電機�(qū)動電��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率分配�
5. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
6. 電信設備中的電源管理單元�
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP18N60C
IXTK10N120H4