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GA1210H123KXXAT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 11:30:29 查看 閱讀:21

GA1210H123KXXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等場景。該芯片采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特點,從而有效提升了系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
  該型號屬于溝槽型 MOSFET 系列,具有出色的熱性能和電氣特性,適用于高頻率和高電流的應用環(huán)境。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  漏源極電壓(Vds):120V
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  柵極電荷(Qg):40nC
  導通電阻(Rds(on)):8mΩ
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  最大功耗:1.6W

特性

GA1210H123KXXAT31G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低導通損耗。
  2. 高速開關性能,支持高達 2MHz 的開關頻率。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下依然保持高效運行。
  4. 內置 ESD 保護功能,提高了芯片的可靠性和抗干擾能力。
  5. 小型化的封裝設計,適合緊湊型電路板布局。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材料制造。

應用

該芯片廣泛應用于各類電子設備中,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS),如適配器、充電器等。
  2. 各類電機驅動電路,例如步進電機、無刷直流電機等。
  3. 工業(yè)自動化控制中的負載切換。
  4. LED 驅動電路和背光驅動。
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC 轉換模塊。
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電路。

替代型號

GA1210H123KXXAT31G-A, IRFZ44N, FDP16N12

ga1210h123kxxat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產品狀態(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-