GA1210H123KXXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等場景。該芯片采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特點,從而有效提升了系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
該型號屬于溝槽型 MOSFET 系列,具有出色的熱性能和電氣特性,適用于高頻率和高電流的應用環(huán)境。
類型:N溝道 MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
漏源極電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):10A
柵極電荷(Qg):40nC
導通電阻(Rds(on)):8mΩ
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
最大功耗:1.6W
GA1210H123KXXAT31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低導通損耗。
2. 高速開關性能,支持高達 2MHz 的開關頻率。
3. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下依然保持高效運行。
4. 內置 ESD 保護功能,提高了芯片的可靠性和抗干擾能力。
5. 小型化的封裝設計,適合緊湊型電路板布局。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材料制造。
該芯片廣泛應用于各類電子設備中,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS),如適配器、充電器等。
2. 各類電機驅動電路,例如步進電機、無刷直流電機等。
3. 工業(yè)自動化控制中的負載切換。
4. LED 驅動電路和背光驅動。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC 轉換模塊。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電路。
GA1210H123KXXAT31G-A, IRFZ44N, FDP16N12